
稀土作为“工业维生素”的地位早已深入人心,在电子、航天等领域的作用无可替代,但鲜少有人知道,如今有一类材料的稀缺性和战略价值远超稀土,那就是以氧化镓、金刚石为核心的第四代半导体材料。这类材料凭借超宽禁带、超高稳定性的特性,成为高端科技领域的核心支撑,而中国正凭借得天独厚的资源优势和接连的技术突破,在这一赛道牢牢占据领先位置,有望引领新一轮半导体产业革命。

锑是支撑第四代半导体材料制备的关键矿产,它的稀缺程度让稀土都相形见绌,地壳中的丰度仅为十万分之6.5,比锂还要稀缺100倍,堪称“矿产界大熊猫”。自然界中虽有120多种锑矿物,但能达到工业开采标准的不足10种,这也让锑成为全球各国争抢的关键矿产资源,谁掌握了锑资源,就握住了第四代半导体发展的重要筹码。
全球锑资源的分布高度集中,2024年美国地质调查局公布的数据显示,全球锑探明储量约220.1万吨,中国以67万吨的储量占据全球30.4%,位列世界第一,俄罗斯、玻利维亚紧随其后。不仅如此,2024年全球锑矿产量10.4万吨,中国产量达6万吨,占比57.7%,资源储备和实际产能的双重优势,让中国在第四代半导体的全球竞争中站稳了脚跟。
中国的优势远不止于资源,在第四代半导体核心材料的技术研发上,中国企业实现了从跟跑到领跑的跨越式突破,直接打破了欧美、日本此前的技术垄断。尤其是在氧化镓这一核心材料领域,中国的技术进展让国际同行侧目,多个企业接连取得世界级突破,将氧化镓产业化的进程大幅提前。

2025年3月5日,杭州镓仁半导体发布了全球首颗8英寸氧化镓单晶,这一成果创造了从2英寸到8英寸每年升级一个尺寸的行业纪录,也让中国成为全球首个掌握该技术的国家。这款单晶采用自主研发的铸造法制备,能与现有硅基芯片厂的8英寸产线兼容,不仅能提升材料利用率、降低生产成本,更能大幅加快氧化镓的产业化应用步伐。
镓仁半导体的突破并非个例,2025年12月29日,富加镓业联合中科院上海光机所,在国际上首次用VB法制备出8英寸氧化镓晶体,再次刷新了技术纪录。VB法制备氧化镓无需使用铱金,大幅降低了生产成本,且生长过程稳定,更适合规模化、自动化生产。富加镓业还打通了6英寸氧化镓晶圆的产业链,拿下中、美、日等多国国际专利,掌握了技术话语权。
中国在氧化镓领域的技术突破,离不开自主研发的核心技术支撑。镓仁半导体依托的铸造法,是浙江大学杨德仁院士团队的原创技术,米兰体育官方网站拥有完全自主知识产权,相比传统方法,铸造法成本更低、效率更高,晶体生长速度可达100mm/h,单锭出片量大幅提升。2024年9月,镓仁还推出了自研的氧化镓专用晶体生长设备,实现全自动化生长,进一步提升了生产效率和晶体质量。
第四代半导体材料能成为全球科技竞争的焦点,核心原因在于其远超传统半导体的性能优势,其中氧化镓的表现尤为突出。氧化镓的禁带宽度达4.8eV,是碳化硅的1.5倍,击穿电场强度约8MV/cm,是氮化镓的2.4倍、硅的26倍之多。用氧化镓制作的功率器件,巴利加优值是碳化硅的10倍、氮化镓的4倍,导通电阻更小,功率转换效率更高。
电能损耗低是氧化镓最核心的优势之一,碳化硅器件的能源损耗比硅基低70%,而氧化镓又比碳化硅低80%,这一特性让其在电力应用领域具备不可替代的价值。同时,氧化镓的硬度与硅单晶接近,远低于碳化硅,8英寸氧化镓切片仅需20小时,而碳化硅则需要200小时,加工效率提升10倍,且能直接沿用硅基的成熟加工设备,开云大幅降低了产业化门槛。

新能源汽车是氧化镓应用最具潜力的领域之一,当前新能源汽车的充电速度是消费者的核心痛点,而氧化镓能从根本上解决这一问题。氧化镓能让车载高压电气系统的电压提升至1200V甚至更高,实测中,搭载氧化镓充电模组的新能源汽车,7分钟就能充满800公里续航,充电时间缩短至原来的四分之一,成本却仅为碳化硅方案的六成,真正实现了“充电比加油快”。
除了新能源汽车,氧化镓在智能电网和光伏领域的应用,也能带来巨大的社会价值。用氧化镓器件改造的智能电网,能大幅减少线路的电能损耗,提升电网的输电效率;在光伏逆变器中使用氧化镓,能显著提升光伏发电的利用率,让更多清洁能源接入电网,这对于实现“双碳”目标,推动能源结构转型有着重要的推动作用。
氧化镓的优异性能还让其在国防和航天领域大有用武之地,它具备超高的耐辐射性和耐高温性,能在极端环境下稳定工作。用氧化镓制作的雷达器件,探测能力会大幅提升,而应用在航天器上的氧化镓芯片,能让航天器在宇宙的复杂环境中保持稳定运行,提升设备的适应性和可靠性,成为国防和航天装备的“硬核支撑”。
金刚石作为第四代半导体的另一核心材料,2025年也迈入了产业化落地的关键阶段,中国在这一领域同样表现亮眼。国家将金刚石半导体纳入“卡脖子”技术攻关清单,《十四五新材料规划》明确要求2025年高端金刚石制品国产化率超过85%,地方政府配套补贴达18亿元,长三角、珠三角形成了特色产业集群,产业链配套率达到65%。
国内企业在金刚石半导体领域的布局不断深入,化合积电推出了高导热金刚石热沉、金刚石铜复合材料等系列产品,力量钻石建成全球最大培育钻石单体车间,并拓展半导体级金刚石材料业务。2025年,国产CVD设备在金刚石制备领域的市占率突破四成,直接推动热沉片成本降低三成,为金刚石半导体的规模化应用奠定了基础。

当前全球第四代半导体的竞争格局已经形成,中国在材料制备、产能规模和设备国产化方面优势凸显,日本深耕器件研发和高端应用,美国则聚焦量子计算等高附加值领域,形成了差异化竞争的态势。2025年QYResearch的调研数据显示,中国的镓仁半导体、富加镓业等企业,已跻身全球第四代半导体主要厂商之列,市场占有率持续提升。
中国能在第四代半导体领域实现领跑,离不开国家层面的全方位支持。从政策层面,第四代半导体被纳入多项国家科技发展规划,成为重点攻关领域;从资金层面,国家大力投资半导体材料研发,合肥国家科学中心、京津冀协同发展示范区等都布局了专项研发项目;从产学研层面,高校、科研院所与企业深度合作,形成了“研发-转化-量产”的完整生态链。
如今,第四代半导体材料的产业化应用已经迎来曙光,镓仁半导体的6英寸氧化镓衬底已经实现产品销售出货,氧化镓充电桩、车载充电模组等产品也开始进入实测阶段,金刚石半导体则在热管理、光模块等领域实现了初步应用。随着技术的不断成熟和产业链的持续完善,第四代半导体材料将逐步渗透到电子、能源、航天、国防等各个领域,改变我们的生活。
稀土的优势让中国在高端制造领域占据了一席之地,而第四代半导体材料的资源和技术双重优势,让中国在新一轮半导体革命中掌握了主动权。这不仅是材料领域的突破,更是中国科技自主创新的重要成果,从核心材料到核心设备,从技术研发到产业化应用,中国正一步步打破国外技术垄断,走出一条自主可控的科技发展之路。
第四代半导体的发展,正开启一个全新的科技时代,而中国在这一赛道的领先,不仅能推动国内半导体产业的升级,更能为全球科技发展贡献中国方案。从资源储备到技术突破,从政策支持到生态构建,中国已经为第四代半导体的发展打下了坚实的基础,未来随着更多应用场景的落地,第四代半导体必将成为推动中国科技高质量发展的核心动力。
{jz:field.toptypename/}你认为第四代半导体材料的普及,会最先改变哪个行业的发展格局?氧化镓的产业化应用,还需要突破哪些技术瓶颈?
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